英飞凌15大精选白皮书及技术资料免费放送!值得收藏!(图1)

  不知不觉2024年已经悄然降临,英飞凌官方团队衷心感谢大家在过去一年中对我们的关注、支持和喜爱。在此,我们特意梳理了。这些内容凝聚了英飞凌团队的心血和力量,希望能够为您提供有价值的信息和洞察。

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  2023年对我们来说是充满挑战和机遇的一年,2024年我们将继续分享我们的专业知识和见解,与大家一起交流和碰撞想法,期待与大家共同收获更加绚烂美好的2024年!

  摘要:英飞凌基于CoolSiC™沟槽栅的碳化硅功率MOSFET,凭借杰出的系统性能,在功率转换开关器件的优值系数(FOM)值上取得了巨大改进。这能给许多应用带来更高的效率和功率密度,以及更低的系统成本。该技术也可为创造更多新应用和新拓扑带来可能。然而,与所有新技术一样,碳化硅功率 MOSFET 必须全面严格地遵循技术开发和产品质量检验程序。唯有如此才能达到功率转换系统的设计寿命和质量要求。尽管与硅技术有相似之处—例如,垂直型器件结构,含有SiO2等天然氧化物,及大多数工艺步骤等,但这些新功率器件在材料特性和运行模式上仍有重要的区别。由于存在这些实质性的差异,所以必须仔细考虑它们在最终应用时的运行模式,以及所需的开发和可靠性鉴定程序会受到什么影响。

  本文着重讲述英飞凌在产品发布过程中用于评价 CoolSiC™技术和产品质量合格所需经历的主要流程步骤。本文还涉及到主要的失效机制,以及用于确保在各种应用中安全可靠运行的方法。通过这种方式,我们避免了客户可能遇到的许多风险,并为可靠地使用英飞凌 CoolSiC™技术提供了一条安全的路径。本文对于有兴趣更好地了解碳化硅技术的可靠性的工程师也有指导价值。

  摘要:电机在传统传动行业,现代交通和新能源汽车,智能制造与高端装备(机器人、微机电系统),大小家电等有着广泛的应用;动力系统电动化有力推进和引领高性能电机发展。高性能电机的设计及应用是门跨专业的学科与系统工程,包括电机本体和电机驱动器设计,系统匹配与集成等,电机学成了大学更多专业的必修课或选修课。电机学是门难教难学的课程,需要深入浅出的教学参考资料。 本手册从电机使用者和电机驱动器设计者的角度出发,讲解分析比较各类电机的特性和应用技术,引导读者快速入门,走向深入,做创新性的思维和设计。

  亚琛工业大学是世界顶尖的理工科大学,机械和电气是亚琛的强项。英飞凌联合亚琛工业大学电力电子与电力传动研究所 (ISEA)参考电机学的课堂讲稿,编写成电机手册,并翻译成中文介绍给中国大学作为学生的参考资料。

  摘要:本书是关于IGBT应用技术的专著,由两位长期在英飞凌从事IGBT应用技术推广的工程师撰写,概念论述清楚,并以双脉冲为基础实验方法,讲述IGBT的动态特性、IGBT驱动技术和功率单元的涉及和验证方法。本书应用实例风度,是体现当今的IGBT、IGBT驱动和其应用技术的参考书。本书论述了IGBT和IGBT模块的基本原理、电气和物理特性及应用技术,包括以下内容:

  1)介绍了IGBT芯片的半导体结构和工作原理,并用以分析芯片的电气特性,以提高学生和工程师在应用IGBT中分析问题、解决问题的能力。

  2)深入探讨了IGBT的封装工艺技术、模块的寄生参数、热管理涉及和可靠性问题。

  摘要:栅极驱动IC相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成式栅极驱动IC解决方案有助于您降低设计复杂度,缩短开发时间,节省材料消耗(BOM)及电路板空间,相较于分立式栅极驱动器解决方案,可提高可靠性。 每一个功率器件都需要驱动芯片,选择正确的驱动IC至关重要。英飞凌提供广泛的EiceDRIVER™栅极驱动IC产品组合,它们具有不同的结构类型、电压等级、隔离级别、保护功能和封装选项。EiceDRIVER™栅极驱动IC与英飞凌IGBT分立式器件和模块、硅MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™和StrongIRFET ™)和碳化硅MOSFET(CoolSiC™)、氮化镓HEMT(CoolGaN™)完美互补,或者作为集成功率模块(CIPOS™ IPM和iMOTION™ smart IPM)的一部分。 此外,MOTIX™栅极驱动芯片是用于低压电机控制解决方案的 MOTIX™ 可扩展产品组合的一部分,包括 MOTIX™ 驱动器、MOTIX™ 桥、MOTIX™ SBC 和 MOTIX™ MCU。

  摘要:由于市场对高功率密度的需求不断增加,因此 USB-C 快速充电器的开关频率亟待提高,以缩小变压器和滤波器组件的尺寸。基于宽禁带 (WBG) 半导体材料的新兴技术为提高功率密度提供了新方法。在高开关频率下,用于同步整流器(SR) 开关的 GaN HEMT 具有低电荷和快速开关转换的优势。此外,在额定电压 和导通电阻相同的情况下,GaN HEMT 的尺寸要小于硅 (Si) MOSFET。尽管其优势明显,但最先进的系 统仍在使用 MOSFET SR。那么这其中的原因是什么? 与 MOSFET 相比,GaN 的第三象限(体二极管)模式压降相对较高,会在导通/关断延迟期间产生更高的 导通损耗。这些“死区时间”损耗会随着更高的开关频率而增加。为了将这些损耗降至最低,控制器电路 必须针对 GaN 而优化,以缩短导通和关断栅极偏置的延迟。最先进的 SR 控制器,其延迟时间大约为数 十到数百纳秒。这会在LLC、有源钳位反激式 (ACF) 等拓扑中产生大量损耗,尤其是在准谐振 (QR) 反激 式中。由于 PCB 布局寄生效应会影响 SR 控制器的漏源电压 (VDS) 感应和反应时间的准确性,即使使用 优化良好的控制器,其延迟时间也可能相当长,仍然大约为数十纳秒。然而,如果在设计过程中解决了这 些问题,那么就可以充分发挥 GaN 在 SR 应用中的潜力。

  本文介绍了在 USB-C PD 充电器和适配器设计中使用 GaN HEMT SR 的方法。首先,我们对市场上最常见的充电器和适配器拓扑作了概述和比较。接着介绍了同步整流特性,以及有关使用 GaN HEMT SR 的 设计技巧。最后,我们介绍了英飞凌的 65 W Full GaN ACF 转换器评估板。

  双向 ESD 防护器件一般是对称的。它们既可以用于传输双极性信号的信号线 (-VWM ≤ Vsignal ≤ VWM),也适用于单极性信号(0 ≤ Vsignal ≤ VWM)。

  单向 ESD 防护器件是非对称的,一般只用于单极性信号线 ≤ Vsignal ≤ VWM)。实际中,类似于齐纳二极管,它们反向用在电路中。行业的惯例是将电压和电流的方向 指定为正方向,例如应用中的电压。

  摘要:采用脉宽调制(PWM)开关控制技术的电机驱动系统,存在与电流纹波有关的高频率开关损耗,从而对效率造成 负面影响。过往很多研究来预测这些损耗与开关频率有何关系。然而,大多数已开展的研究只适用于使用绝缘栅 双极晶体管(IGBT)时适用的频率——通常最高为 20 kHz。 本白皮书探讨了电机应用的最新趋势,在电机驱动系统中使用宽禁带器件的可能性、机遇和挑战,并详细描述了 所用的方法,讨论了仿真和实验测试的结果。比较了宽禁带器件和硅器件最重要的品质因数及它们在典型电机系 统中的性能,本文还讨论了不同参数所产生的重要影响。最后,在讨论计算结果之前,本文还描述了用于评估在 电机驱动逆变器中使用 GaN 和 SiC 开关器件的影响所用的实验装置。

  摘要:高压(HV)氮化(GaN)晶体管的快速开关能力给 PCB 的布局带来了挑战。本应用说明讨论了几个重要概念,旨在帮助用户了解 PCB 的布局挑战,并探讨了几个策略,以帮助用户优化布局,实现最佳的整体电气性能和热性能。希望对使用高压 GaN 器件实现最佳性能感兴趣的开关电源(SMPS) 设计工程师、PCB 布局工程师、技术人员和电子系统开发人员带来帮助。

  摘要:AURIX™ TC3xx平台是具有多个TriCore™ CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断系统、DMA 控制器和一组功能强大的片上外设的高性能微控制器系列。AURIX™ TC3xx平台旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需求,其中性价比、实时响应能力、计算能力、数据带宽和功耗是关键的设计要素。该系列提供多种功能强大的片上外设单元,如串行控制接口、定时器单元和ADC。

  AURIX TC3xx 系列与 AURIX™™ TC2xx 系列引脚保持兼容,提供容量高达16 MB 的闪存、集成超过 6 MB的RAM和多达 6 个 TriCore™ 1.62 内核,每个内核的最快时钟频率可达300 MHz。新功能包括一个新的 Radar 处理子系统,具有多达两个专用信号处理单元(SPU)、千兆以太网、CAN FD和LIN接口,以及用于连接外部闪存的eMMC接口。

  摘要:随着汽车行业从由化石燃料驱动的内燃机(ICE)向电动机的转变,消费者给汽车“加油”的方式也必须随之转变。事实上,加油站已经不再必不可少了。通过使用车载充电(OBC)解决方案插电式混合动力和纯电动汽车(XEV)在家里办公室里或购物时都能充电。对于汽车制造商而言,能效、体积、安全、质量和重量以及总体成本仍是最重要的设计考量。此外,也有越来越多的汽车厂商开始计划支持双向电能传输,以实现电动汽车向家庭供电、电动汽车向家用电器供电、电动汽车向电网供电(V2G)以及甚至帮助启动其他车辆等应用。

  本白皮书探讨了对OBC不断变化的期望,所使用的半导体技术及它们独特的能力,以及如何使用当今首选的电能转换拓扑来满足设计需求。

  摘要:传感器融合是实现高级驾驶辅助系统(ADAS)的关键技术之一。它是一种软件解决方案,通过收集来自不同传感器 的数据,提供一个统一的车辆周围环境图像。而Baselabs 等可用于汽车的传感器融合解决方案具有标准化的功能 和开发流程,能够在ADAS项目开发中节省大量资金。因 此,车厂和一级供应商不必重复工作,而是专注于创造产 品的差异化价值。通过与成熟的汽车微控制器供应商英 飞凌合作,建立伙伴关系,还能简化传感器融合,同时借 助AURIX™,确保ECU的系统质量、可靠性和稳定性达到预 期,且对工具的投资继续得到摊销。

  摘要:在当今的互联网时代,可穿戴设备为消费者提供了一种更便捷的选择,它方便用户随时使用首选功能。可穿戴设备主要是指,用户通常持续佩戴而非拿在手里或需要携带(如手机或平板电脑)的移动产品或设备。因为随身佩戴,可穿戴设备也能实现用户与设备之间的持续交互,包括直接或间接交互。

  摘要:过去 20 年,Wi-Fi®速度已从 2 Mbps 跃升到千兆级别,吞吐能力提高了 1000 倍。Wi-Fi 标准不断发展,相继引入 Wi-Fi 4、Wi-Fi 5 以及最近的 Wi-Fi6 和 6E 等新标准。在其发展过程中Wi-Fi 联盟保持了非常高的向后兼容性,使得联网产品可与人们家中不同类型的路由器兼容而这一直是作为物联网基石的 Wi-Fi 实现高稳定性和高增长的重要驱动力。标准不断发展但为物联网产品选择合适的 Wi-Fi 版本仍旧需要深思熟虑。虽然给智能手机配备 Wi-Fi6 可能毋庸置疑,但物联网产品要高度重视可靠性、覆盖范围/拥堵、Wi-Fi 路由器新标准兼容、成本、安全性和功耗等问题,不能草率地进行选择。产品经理必须考量: 不同新产品应该使用哪个版本的 Wi-Fi? 什么时候该使用 Wi-Fi4、5或6? 什么时候应该进行产品升级?

  本白皮书为您在做 Wi-Fi6 块择时提供了指导,概述了 Wi-Fi 标准、发展历史以及专为物联网产品而做出的技术改进,并提供了您需要了解的关于 Wi-Fi 6 路由器将如何发展的信息。本白皮书还提供了您作为产品经理或系统设计师在决定使用哪种 Wi-Fi 技术时所需考虑的标准我们希望在本白皮书的帮助下,您在决定何时及如何升级至 Wi-Fi6/6E 时能够考虑到相关的重要标准。

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